С 17 по 21 декабря научные сотрудники МНИЦ «Когерентная рентгеновская оптика для установок Мегасайенс» Сергей Шевырталов, Александр Баранников и Антон Нарикович совместно с коллегами из научно-исследовательского центра «Курчатовский институт» провели серию экспериментов по исследованию монокристаллов алмаза на станции рентгеновской кристаллографии и физического материаловедения «РКФМ».

Исследования проводились в два этапа. На первом была определена разориентация кристаллографических плоскостей от реальной плоскости пластины. На втором были измерены интегральные кривые качания с пластин. С помощью кривых качания определяется качество кристаллической структуры. Тонкие пластины алмаза толщиной от 100 до 250 микрон будут использованы в основе рентгенооптических элементов — монохроматоров, окон и делителей пучка на источниках нового поколения.

апаавы.jpg

Сергей Шевырталов:

«Мы продолжаем исследовать кристаллы алмаза. В этот раз для повышения качества измерений было использовано устройство на основе биморфного пьезоэлемента, который позволяет добиться точности в 1 Ангстрем. Большую часть времени заняла калибровка и настройка на образцы небольшого размера — всего 3×3 мм. Эксперименты мы провели успешно, осталось собрать и проанализировать данные. С обработкой данных и моделированием нам будет помогать известный теоретик из НРК КИ — Виктор Кон. — Дальше дело за специалистами, которые занимаются ростом кристаллов. Для изготовления рентгеновских преломляющих линз текущих размеров пластин достаточно, но для таких элементов, как монохроматоры и делители пучка необходимо увеличить размер».

Антон Нарикович:

«Для использования оптики непосредственно после ондулятора требуется, чтобы материал, из которого он изготовлен, выдерживал высокие термические и радиационные нагрузки без разрушения или каких-либо структурных изменений. Кроме того, оптика не должна ухудшать когерентность излучения, которая является важным параметром источника. Монокристаллический алмаз удовлетворяет данным требованиям и может быть использован для изготовления монохроматоров и делителей пучка на синхротронных источниках 4-го поколения. В связи с этим существует необходимость контроля качества выращивания данных кристаллов, чтобы ученые и инженеры, развивающие данное направление, смогли отладить технологию до совершенства».

Поездка была организована за счет средств РНФ проекта №19-72-30009