20-21 апреля на базе Национального исследовательского университета «Московский институт электронной техники» состоялась юбилейная XXX Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Микроэлектроника и информатика-2023» с международным участием (331 заявка из Беларуси, Казахстана, Мьянмы и России). На 11 секциях были заслушаны 242 доклада, в том числе 168 студенческих, 52 аспирантских, из которых 64 работы были отмечены дипломами лауреатов и 80 рекомендовано к публикации в сборнике.
Участниками представили результаты теоретических и практических исследований в области материалов электроники; оборудования, проектирования и технологии полупроводниковых приборов, твердотельных приборов, биомедицинской электроники, интегральных радиоэлектронных устройств и вычислительных систем, вычислительной техники, связи, информационно-коммуникационных технологий, информационной безопасности; вопросов экономики, организации и управления предприятиями электроники и экологического контроля в электронной промышленности и в окружающей среде.
В рамках конференции так же была проведена Школа «Синхротронное излучение и технологии наноэлектроники. Актуальное состояние и перспективы развития»*, в которой приняли участие руководители, ученые и ведущие специалисты профильных предприятий из НИЦ «Курчатовский институт», ЮФУ, Института проблем механики им. А.Ю. Ишлинского, БФУ им. И. Канта, АО «Микрон». Программа Школы включала доклады, посвященные современным практическим и теоретическим исследованиям в области рентгеновской оптики и литографии, а также изучению уникальных свойств новых перспективных материалов при помощи синхротронного излучения. Так, например, были заслушаны доклады о перспективах развития рентгенолитографии (Дюжев Н. А, ЦКП МСТ и ЭКБ, МИЭТ), источниках рентгеновского излучения на основе ускорителей и о применение синхротронного излучения в микроэлектронике (Носик В. Л., НИЦ «Курчатовский институт», ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН), об искусственном интеллекте для диагностики и синтеза перспективных материалов (Солдатов А. В., ЮФУ), о математическом моделирование конечных деформаций ультратонких элементов динамической маски (Лычев С. А., ИПМех РАН) и о теоретическом анализе прохождения рентгеновского излучения с длиной волны менее 13.5 нм через мембрану с отверстием, (Корнеев В. И., МИЭТ).
Ключевой задачей Школы стал обмен опытом в очном режиме общения участниками Федеральной научно-технической программы развития синхротронных и нейтронных исследований и исследовательской инфраструктуры на 2019 – 2027 годы.
От МНИЦ «Когерентная рентгеновская оптика для установок Мегасайенс» (МНИЦ РО) с докладом на тему «Рентгеновская преломляющая оптика: статус и применения» в секции «Исследовательская структура Мегасайенс» выступал ведущий учеый, Анатолий Снигирев.
«Строительство мегаустановок является сложной задачей, которая требует вовлечение большого количества профильных специалистов. В сложившихся непростых условиях очень важен обмен положительным опытом решения задач и проблем, возникающих на пути повышения эффективности технологических решений. Все более системный характер нашего взаимодействия обязательно приведёт к успешному преодолению негативных факторов. Конечно же, не малую роль в этом направлении играет наш опыт в создании новых видов оптики, устройств на их основе, развития новых методов исследования и опыт использования уникальных параметров передовых источников рентгеновского излучения, где мы имеем представление о возможностях и особенностях их работы» — подчеркнул Анатолий Снигирев. |
*Школа организована в рамках выполнения проекта «Разработка и исследование перспективных материалов и наноструктур для технологии безмасочной рентгеновской нанолитографии, применимой к созданию новой компонентной базы микро- и наноэлектроники с использованием источника синхротронного излучения», реализуемому в соответствии с соглашением о предоставлении гранта № 075-15-2021-1350 от 05.10.2021, номер 15.СИН.21.0004.
Личный кабинет для cтудента
Личный кабинет для cтудента
Даю согласие на обработку представленных персональных данных, с Политикой обработки персональных данных ознакомлен
Подтверждаю согласие