Сердцем сектора ионно-пучковых технологий является ускоритель HVEE-2500 на базе генератора Ван де Граафа. Установка, собранная учеными и инженерами БФУ им. И. Канта предназначена для разгона малых частиц — от протонов, до ионов тяжёлых металлов. Ионная имплантация путём легирования образцов позволяет менять некоторые поверхностные свойства металлических изделий — такие, как твёрдость, коррозионная стойкость, износоустойчивость и др., а также создавать новые виды полупроводникых структур.
Она напоминает известный во всём мире адронный коллайдер, только размерами гораздо меньше. Это камера, где методами обратного резерфордовского рассеяния можно исследовать химический состав создаваемых материалов и образцов, а также некоторые их физические свойства. До запуска на базе БФУ данного прибора все исследования методом RBS приходилось проводить в Москве, в НИЯФ МГУ.
Ускоритель HVEE-2500 на базе генератора Ван де Граафа (генератора высокого напряжения, принцип действия которого основан на электризации движущейся диэлектрической ленты) в базовой комплектации имеет две основных линии: RBS (резерфордовское обратное рассеяние) и ИИ (ионная имплантация). Основное направление RBS – неразрушающее излучение. Теперь, чтобы узнать состав исследуемого образца, учёным не придется распиливать его на части, достаточно будет облучить его малым пучком ионов. Ионная имплантация путём легирования образцов позволяет менять некоторые поверхностные свойства металлических изделий — такие, как твёрдость, коррозионная стойкость, износоустойчивость и др., а также создавать в полупроводниках p-n переходы, гетеропереходы, низкоомные контакты.
Личный кабинет для cтудента
Личный кабинет для cтудента
Даю согласие на обработку представленных персональных данных, с Политикой обработки персональных данных ознакомлен
Подтверждаю согласие